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| 金属氧化物半导体系统 | 发布于:2016/05/08 | |
| Olof Engstrm The MOS System 2015 ISBN9781107005938 氧化物半导体是具有半导体特性的一类氧化物。氧化物半导体的电学性质与环境气氛有关。导电率随氧化气氛而增加称为氧化型半导体，是p型半导体;电导率随还原气氛而增加称为还原型半导体，是n型半导体;导电类型随气氛中氧分压的大小而成p型或n型半导体称为两性半导体。 本书主要介绍了金属氧化物半导体的结构、顶尖的模型、新颖的现象、目前遇到的瓶颈和挑战以及金属氧化物半导体系统在晶体管方面的应用、性能提升等内容。基于基础的静电学理论，书中介绍了理想化的金属氧化物半导体系统、物理性质、高介电氧化物的电学性质、介电常数，以及高介电材料的物理性质表征方法等内容。 全书共3部分，14章。1.前言，介绍了金属氧化物半导体技术的发展、高介电材料、金属氧化物半导体的表征等内容。第1部分 基本性质，含第2-5章：2. 金属氧化物半导体体系的基本性质;3. 栅层叠的基本性质;4. 金属氧化物半导体材料界面的电子状态;5. 块状氧化物陷阱对电子的捕获能力。第2部分 表征技术，含第6-9章：6. 费米探针技术对材料电学性能的表征方法; 7. 材料在热流状态下的电学性能表征;8. 氧化物或硅的能级排列表征方法：内部光电效应和X光光电子能谱（XPS）表征;9. 基于电子自旋的方法介绍。第3部分 金属氧化物半导体系统，含第10-14章：10. 二氧化硅介电材料的金属氧化物半导体系统;11. 高介电材料的金属氧化物半导体系统;12. 金属栅极相关内容介绍;13. 栅氧化层的电子传输特性及电流泄露;14. 高迁移率通道材料中的金属氧化物半导体系统研究。 本书的作者Olof Engstrm供职于瑞典哥德堡的查尔姆斯工业大学，在超级电容器、金属氧化物半导体技术和传感器等领域有很多研究成果，主要研究半导体量子结构和界面。 本书的读者群为电子学、电子元器件、金属材料、纳米电子器件等专业的学生及研究人员。 彭金平，博士生 （国家纳米科学中心） Peng Jinping， Ph.D （National Center for Nanoscience and Technology）来源：国外科技新书评介 |
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